碳化硅砖产品在结晶过程中，用物相反衬式显微镜对工业炉制取SiC粗单晶表面进行观察，发现许多螺旋状生成物。
     采用复射线干涉仪方法测定了6H-a结晶上的螺旋状生成物螺距的高度，并证明其高度等于该变体原晶格的参数。根据这些结果可以得出结论：碳化硅砖中产生各类型变体的原因，可能是由于在不同螺旋状错动层周围生成螺旋状生成物的缘故。
     据推测，当气相或熔体极大地过饱和时，表面颗粒聚集后将生成片状晶芽，由于杂质分布不均及热交换不均匀，其中的内应力有所增加。这些因素导致片状晶芽收到压缩，直至产生塑性变形。如果均匀变形骤然停止，则产生螺旋状错动，在晶体表面形成螺旋梯段。进一步得到发育的晶体要将具有螺旋状梯段结构，该梯段复现周期相当于螺旋状错动的螺距。因此，不同的螺旋状错动导致生成各类型变体。